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发明名称 Process for forming a passivated P-N junction in mesa semiconductor structure
摘要
申请公布号 EP0351677(B1) 申请公布日期 1998.04.08
申请号 EP19890112512 申请日期 1989.07.08
申请人 GENERAL INSTRUMENT CORPORATION OF DELAWARE 发明人 EINTHOVEN, WILLEM G.;DOWN, LINDA J.
分类号 H01L21/22;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/866;(IPC1-7):H01L21/329 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
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