| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine selbstjustierte nichtflüchtige Speicherzelle, bei der ein MOS-Transistor mit Source- und Drain-Bereichen (6) in den Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers (1) eingebracht ist. Floating Gate (12) und Steuergate (16) des MOS-Transistors sind einander überlappend in einem Graben (8) untergebracht, während der Transistorkanal (17) lateral in einem Oberflächenbbereich des Grabens (8) geführt ist.</p> |
