发明名称 GTO thyristor
摘要 Die Erfindung betrifft eine Kathodenanordnung für einen GTO-Thyristor, bei dem zwischen einer Emitterzone (2) und einer Emitterelektrode (13) eine insbesondere aus polykristallinem Silizium bestehende Abschirmschicht (8) vorgesehen ist, die als Feldplatte eine Abschirmung desjenigen Bereichs gegen externe Ladungen bewirkt, in welchem sich die Raumladungszone ausbreitet. Mit einer Stopper-Zone (16) wird die Ausdehnung der Raumladungszone über diesen abgeschirmten Bereich hinaus begrenzt. <IMAGE>
申请公布号 EP0833389(A2) 申请公布日期 1998.04.01
申请号 EP19970116395 申请日期 1997.09.19
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 FRANZ, GUENTHER, DR.RER.NAT.
分类号 H01L29/417;H01L29/74;H01L29/744;(IPC1-7):H01L29/744 主分类号 H01L29/417
代理机构 代理人
主权项
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