| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件，它显著缩小了元件隔离区的面积和基底电极的面积，因而促进了高集成化，该器件包括一含有Ｎ阱、Ｐ阱及深槽元件隔膜的Ｐ型半导体基片，该深槽元件隔离膜介于Ｎ阱和Ｐ阱之间，在每个Ｎ阱和Ｐ阱内分别建立Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ，形成与Ｐ－ＭＯＳ－ＦＥＴ源电极相接触的Ｎ型基底电极被施加Ｖ<SUB>DD</SUB>电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1037924C | 申请公布日期 | 1998.04.01 |
| 申请号 | CN95104250.5 | 申请日期 | 1995.05.04 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 金载甲 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L29/772;H01L21/8238;H01L21/335 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括含有N阱和P阱及深槽元件隔离膜的P型半导体基片，所说的深槽元件隔离膜介于N阱和P阱之间以及在每个N阱和P阱内分别建立的P-MOSFETT和N-MOSFET，其特征在于：在P-MOSFET源电极的一定部分形成的N型基底电极，且被施加VDD电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川郡 | ||