发明名称 PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON GUIAONDAS INTEGRADO Y CON FIBRA OPTICA ACOPLADA AL MISMO.
摘要 LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON UNA GUIA DE ONDA INTEGRADA ACOPLADA A UNA FIBRA OPTICA. MEDIANTE GENERACION DE UNA CAVIDAD EN EL SUBSTRATO, LA GUIA DE ONDA INTEGRADA ESTA PROVISTA CON UNA SUPERFICIE DE EXTREMO ACCESIBLE LIBREMENTE OPUESTA AL EXTREMO DE LA RANURA CON PERFIL EN V, SIENDO ELABORADA CON ATAQUE ACIDO DE FORMA ANISOTROPA EN EL SUBSTRATO PARA LA RECEPCION DE LA FIBRA OPTICA. PARA ELABORAR DE FORMA ECONOMICA UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR CON UN ALINEAMIENTO PARTICULARMENTE ASEGURADO ENTRE LA FIBRA OPTICA Y LA GUIA DE ONDA INTEGRADA Y UNA CALIDAD OPTICA ALTA, LA CAVIDAD (20) ESTA FORMADA EN EL SUBSTRATO (1) MEDIANTE CORTE DE UNA PIEZA (15) DEL SUBSTRATO (1) SEMICONDUCTOR. PARA ESTE OBJETIVO, LA PIEZA (15) ESTA COLOCADA DE FORMA DESNUDA MEDIANTE ATAQUE ACIDO ANISOTROPO, EXCEPTO PARA UN AREA (16) QUE RODEA LA GUIA (2) DE ONDA INTEGRADA. EL AREA (16) ESTA DEBILITADA MEDIANTE ATAQUE ACIDO PARA LA FORMACION DE UNA ENTALLADURA (17) CON PERFIL DE V HASTA QUE LA PIEZA (15) ROMPE CUANDO SE EJERCE UNA PRESION.
申请公布号 ES2112551(T3) 申请公布日期 1998.04.01
申请号 ES19940922819T 申请日期 1994.07.15
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 SPLETT, ARMIN
分类号 A61F5/01;G02B6/30;G02B6/36;H01L21/304;H01L21/306;H01S5/02;(IPC1-7):G02B6/30;H01L21/302 主分类号 A61F5/01
代理机构 代理人
主权项
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