摘要 |
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON UNA GUIA DE ONDA INTEGRADA ACOPLADA A UNA FIBRA OPTICA. MEDIANTE GENERACION DE UNA CAVIDAD EN EL SUBSTRATO, LA GUIA DE ONDA INTEGRADA ESTA PROVISTA CON UNA SUPERFICIE DE EXTREMO ACCESIBLE LIBREMENTE OPUESTA AL EXTREMO DE LA RANURA CON PERFIL EN V, SIENDO ELABORADA CON ATAQUE ACIDO DE FORMA ANISOTROPA EN EL SUBSTRATO PARA LA RECEPCION DE LA FIBRA OPTICA. PARA ELABORAR DE FORMA ECONOMICA UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR CON UN ALINEAMIENTO PARTICULARMENTE ASEGURADO ENTRE LA FIBRA OPTICA Y LA GUIA DE ONDA INTEGRADA Y UNA CALIDAD OPTICA ALTA, LA CAVIDAD (20) ESTA FORMADA EN EL SUBSTRATO (1) MEDIANTE CORTE DE UNA PIEZA (15) DEL SUBSTRATO (1) SEMICONDUCTOR. PARA ESTE OBJETIVO, LA PIEZA (15) ESTA COLOCADA DE FORMA DESNUDA MEDIANTE ATAQUE ACIDO ANISOTROPO, EXCEPTO PARA UN AREA (16) QUE RODEA LA GUIA (2) DE ONDA INTEGRADA. EL AREA (16) ESTA DEBILITADA MEDIANTE ATAQUE ACIDO PARA LA FORMACION DE UNA ENTALLADURA (17) CON PERFIL DE V HASTA QUE LA PIEZA (15) ROMPE CUANDO SE EJERCE UNA PRESION.
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