| 发明名称 |
Amplifying gate thyristor with lateral resistance |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement bestehend aus einem Halbleiterkörper (1) mit mindestens einem integriertem Lateralwiderstand (6), wobei sich der Lateralwiderstand (6) aus der Dotierungskonzentration im Widerstandsbereich (7) ergibt. Der Widerstandsbereich (7) befindet sich in einem von der Oberfläche des Halbleiterbauelements zugänglichen Bereich und besitzt eine definierte Dotierungskonzentration. Zusätzlich sind Streuzentren (11) im Bereich des Lateralwiderstandes (6) vorgesehen, welche die Temperaturabhängigkeit des Lateralwiderstandes (6) erniedrigen. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0833388(A2) |
申请公布日期 |
1998.04.01 |
| 申请号 |
EP19970116091 |
申请日期 |
1997.09.16 |
| 申请人 |
EUPEC |
发明人 |
SCHULZE, HANS-JOACHIM, DR. |
| 分类号 |
H01L21/322;H01L21/332;H01L29/74;H01L29/8605;(IPC1-7):H01L29/74 |
主分类号 |
H01L21/322 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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