| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离之结构,适用于一基底,其结构包括:一矽层,该矽层位于该基底中,且该矽层具有一侧壁;一衬氧化层,该衬氧化层位于该矽层之该侧壁与该基底之间;以及一绝缘层,该绝缘层位于该矽层上,且该绝缘层之表面与该基底之表面约在同一平面。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之结构,其中该矽层之材质包括单晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之结构,其中该矽层之材质包括多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之结构,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。5.一种浅沟渠隔离之制造方法,适用于一基底,该基底上包括一垫氧化层、一罩幕层以及一浅沟渠,且该浅沟渠穿透该罩幕层以及该垫氧化层,并达该基底中,其方法包括:于该浅沟渠周围侧壁之该基底表面上形成一衬氧化层;于该浅沟渠中,形成一矽层,并填满该浅沟渠,且该矽层之表面与该基底和该垫氧化层之交界面齐平;以及于该矽层上形成一绝缘层。6.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该矽层之材质包括单晶矽。7.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该矽层之材质包括多晶矽。8.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该矽层之方法包括磊晶法。9.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。10.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该绝缘层之方法包括以乾式氧化法配合湿式氧化法。11.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该绝缘层之方法包括以乾式氧化法配合湿式氧化法。12.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该绝缘层之方法包括以乾式氧化法配合湿式氧化法。13.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该衬氧化层之形成方法包括:于该浅沟渠之周围侧壁以及底部的该基底表面上形成一衬氧化层;以及剥除位于该浅沟渠底部之部分该衬氧化层。14.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中剥除位于该浅沟渠底部之部分该衬氧化层之方法包括乾式蚀刻法。15.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该衬氧化层之形成方法包括热氧化法。16.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。17.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该绝缘层之后,更包括剥除该罩幕层以及该垫氧化层。18.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中剥除该罩幕层之方法包括湿式蚀刻法。19.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中剥除该罩幕层之方法包括乾式蚀刻法。20.如申请专利范围第17项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中剥除垫氧化层之方式包括湿式蚀刻法。图式简单说明:第一图A至第一图D系显示习知一种浅沟渠隔离之制造方法流程的剖面图;以及第二图A至第二图F系显示根据本发明较佳实施例之一种浅沟渠隔离之结构与制造方法流程的剖面图。 |
