| 主权项 |
1.一种嵌金法的制造方法,适用于形成有一MOS元件的基板上,而该制造方法至少包括下列步骤:a.于该MOS元件上依序形成一第一绝缘层、一氮化矽层;b.蚀刻定义该氮化矽层形成一第一开口,暴露出该第一绝缘层;c.在该氮化矽层上形成一第二绝缘层;d.定义该第二绝缘层,在该第二绝缘层形成一第二开口,该第二开口位在该第一开口上方,使该第一开口与该第二开口连通;e.沿该第一开口,暴露出的该第一绝缘层表面,去除该第一绝缘层,形成一接触窗,暴露出该MOS电晶体之一源/汲极区;f.于该接触窗中形成一导电层,该导电层填满该接触窗,且延伸至该第二绝缘层表面,在该接触窗上方的该导电层表面形成一凹槽;g.在该该基底上形成一流动式介电层,以覆盖该导电层表面并且填入该凹槽;h.去除该导电层表面的该流动式介电层;以及i.以该第二绝缘层为蚀刻终点,以化学机械研磨法去除该第二绝缘层表面上之该导电层与该流动式介电层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一绝缘层与该第二绝缘层为氧化物。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,在该步骤e之后,该步骤f之前,更包括在该接触窗形成一黏着层的步骤。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,该黏着层组成为钛/氮化钛。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中,该氮化钛层作为化学机械研磨法之蚀刻终止层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,定义该第二开口,以乾蚀刻法形成。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中,蚀刻该第二开口之蚀刻终止层为该氮化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该导电层包括钨金属与铝金属其中之一。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该流动式介电层为旋涂式玻璃层。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该旋涂式玻璃层包括矽酸盐或矽氧烷,厚度约在2000-5000埃左右。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,化学机械研磨法系以特定之研磨垫与特定之研浆组成。12.一种嵌金法的制造方法,适用于具有元件的一基板上,而该制造方法至少包括下列步骤:a.对该基板提供一第一导电层,于该第一导电层上依序形成一第一绝缘层、一氮化矽层;b.蚀刻定义该氮化矽层形成一介层窗的一第一开口,暴露出该第一绝缘层;c.在该氮化矽层上形成一第二绝缘层;d.定义该第二绝缘层,在该第二绝缘层形成一第二开口,该第二开口位在该第一开口上方,使该第一开口与该第二开口连通;e.沿该第一开口,暴露出的该第一绝缘层表面,去除该第一绝缘层,形成一介层窗,暴露出该第一导电层;f.于该介层窗中形成一第二导电层,该第二导电层填满该介层窗,且延伸至该第二绝缘层表面,在该介层窗上方的该第二导电层表面形成一凹槽;g.在该基底上形成一流动式介电层,以覆盖该第二导电层表面并且填入该凹槽;h.去除该第二导电层表面的该流动式介电层;以及i.以该第二绝缘层为蚀刻终点,以化学机械研磨法去除该第二绝缘层表面之该第二导电层与该流动式介电层。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该第一绝缘层与该第二绝缘层为氧化物。14.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,在该步骤e之后,该步骤f之前,更包括在该介层窗形成一黏着层的步骤。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该黏着层作为化学机械研磨法之蚀刻终止层。16.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,蚀刻该第二开口之蚀刻终止层为该黏着层。17.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该第二导电层包括钨金属。18.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该流动式介电层为旋涂式玻璃层。19.一种嵌金法的制造方法,适用于形成有一MOS元件的基板上,而该制造方法至少包括下列步骤:a.于该MOS元件上形成一绝缘层;b.定义该绝缘层,形成一沟渠的一开口;c.于该开口形成一导电层,使该导电层填满该开口,并延伸至该导电层表面,该导电层在该开口上方形成一凹槽;d.在该基底上形成一流动式介电层,以覆盖该导电层表面并且填入该凹槽;e.去除该导电层表面之该流动式介电层;以及f.以该绝缘层为蚀刻终点,以化学机械研磨法去除该绝缘层表面之该导电层与该流动式介电层。20.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,在该步骤b之后,该步骤c之前,更包括在该开口形成一黏着层的步骤。21.如申请专利范围第20项所述之制造方法,其中,该黏着层组成为钛/氮化钛。22.如申请专利范围第20项所述之制造方法,其中,该黏着层作为化学机械研磨法之蚀刻终止层。23.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,该导电层为钨金属、铝金属与铜金属三者择一。24.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,该流动式介电层为旋涂式玻璃层。图式简单说明:第一图A至第一图C系绘示习知技艺中嵌金法制造方法结构之剖图。第二图A至第二图H系绘示依照本发明一较佳实施例一种嵌金法的制造流程剖面图。第三图A至第三图C系绘示依照本发明一较佳实施例一种嵌金法的制造流程剖面图。 |
