| 主权项 |
1.一种半导体处理设备,包括:一输出入反应室,其可以紧密的被密封起来,如此该反应室可以被开启至空气之下,并且在之后关闭;一气体供应管线,用以提供一乾燥,惰性气体,该气体形成遍及于该反应室内至少一半导体晶圆上方以及四周的吹气并且用以移除复数个污染物,例如复数个微小的外来粒子,一大气湿气,复数个有机蒸汽;以及一邦浦,用来邦浦该气体,任何残留之该湿气以及该些污染物由至少一该半导体晶圆上被移除,该邦浦系在一初始状态周期减缓排放该气体以及该些污染物,并降低该反应室内之一气体压力至一中间値压力准位,当该中间値压力准位到达时该气体所供应的一气体管线被关闭,并且之后该邦浦相对地快速排放该气体使得该反应室内之该压力降至一低基础压力准位。2.一种用来将复数个半导体晶圆制作成为复数个积体电路的设备,包括:一制程线;一输出入反应室,其紧接着该制程线用来帮助该些晶圆在该制程线处理之前消除该些晶圆上的复数个污染物,该输出入反应室在该制程线上可紧密的被密封,使得该反应室可被开启放大气压力之下并且允许该些半导体晶圆置入该反应室内并在该制程线上做处理;一气体供应线,用以提供一乾燥的惰性洁净气体吹入该反应室;一扩散器位于该反应室内,该扩散器开该洁净气体,使得该洁净气体形成遍及于该些晶圆上方以及四周,用来助消该些除晶圆上的复数个污染物,像是复数个微小外来粒子,一大气中的湿气,复数个残留的有机蒸汽;一邦浦用来邦浦该洁净气体,该湿气,使该些污染物远离该些晶圆;以及一控制电路用以开启耦接于该气体供应线的该气体供应并且在一初始周期设定该邦浦为一慢速邦浦模式,并且关闭该气体供应线的该气体供应并且在一第二时间周期设定该邦浦为一快速邦浦模式,如此在该第二时间周期结束之后该些晶片是被准备好了用以转换至该制程线。3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中:该扩散器系位于该输出入反应室之顶端部分;以及该邦浦由该反应室下方排放该洁净气体以及该些污染物。4.如申请专利范围第2项所述之设备,其中:该控制电路系由电脑自动地控制操作,并在该初始周期结束时关闭该洁净氧体的流动,其系在该反应室压力到达一中间压力准位使其残留之该湿气以及该些有机蒸汽不能够凝结成为复数个液体水滴状态;以及该控制电路系自动地控制操作,并在该第二时间周期结束时关闭该邦浦,其系在该反应室压力到达一基础压力准位,使得该制程线可以开启至该输出入反应室。5.如申请专利范围第4项所述之设备,其中:该初始周期,大约为一分钟;该第二时间周期,大约为二分钟;以及该基础压力准位系低于1 torr。6.一种半导体处理设备,包括:一输出入反应室,用以接受至少一半导体;该反应室可以紧密的被密封起来,如此该反应室可以被开启至空气之下,并且在之后关闭;一气体供应装置,用以提供一洁净气体,该气体形成遍及于该反应室内至少一该半导体晶圆上方以及四周的吹气并且用以移除复数个污染物,例如复数个微小的外来粒子,一大气湿气,复数个有机蒸汽;以及一邦浦装置,用来邦浦该气体,任何残留之该湿气以及该些污染物由至少一该半导体晶圆上被移除,该邦浦装置系在一初始状态周期减缓排放该气体以及该些污染物,并降低该反应室内之一气体压力至一中间値压力准位,当该中间値压力准位到达时该气体供应装置被关闭,并且之后该邦浦装置相对地快速排放该气体使得该反应室内之该压力降至一低基础压力准位。7.如申请专利范围第6项所述之设备,其中更包括:复数个电脑控制电路装置,用以控制该气体供应装置以及该邦浦装置,该些控制电路装置在该反应室压力到达一中间压力准位被关闭,使其残留之该湿气以及该些有机蒸汽不能够凝结成为复数个液体水滴状态,并且在该反应室压力到达一基础压力准位时关闭该邦浦装置。8.一种用来将一半导体晶圆上移除复数个污染物之方法,包括下列步骤:置入至少一该晶圆于一输出入反应室中;密封住该反应室;流入一乾燥的惰性洁净气体至该反应室并很接近该半导体晶圆并且该气体形成遍及于该晶圆上方以及四周的吹气帮助消除该晶圆上的该些污染物;排出该洁净气体以及残留的该些污染物离开该半导体晶圆;缓慢的降低该反应室内的一压力至一中间压力准位;以及之后迅速的降低该压力使得该反应室由该中间压力値到达一低基础压力准位。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之:该洁净气体系经由一扩散器被吹散,该扩散器系位于该输出入反应室之顶端部分;该半导体晶圆系放置于接近该反应室之顶端,接近该扩散器;以及该基础压力准位约等于在该半导体晶圆被制作成为一积体电路时的一压力准位,使得该晶圆可以由该反应室被转换耦合至一制程线上不需再次的暴露于该些污染物上。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之:该反应室内之该压力在一第一时间周期降至该中间压力准位,使其残留之该湿气以及该些有机蒸汽不能够凝结成为复数个液体水滴状态;流入该反应室内之该洁净气体在该反应室压力到达该中间压力値时被关闭;以及迅速的在一第二时间周期内降低该压力至一基础压力准位。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中:该第一时间周期,大约为60秒,且该第二时间周期,大约为二分钟。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中:该基础压力单位小于1托尔,并大于0托尔。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之该洁净气体系为一氮气。14.一种用在一制程线上由复数个半导体晶圆制作成复数个积体电路之前移除该些半导体晶圆上复数个污染物之方法,包括下列步骤:置入该些半导体晶圆于可被紧密密封的一输出入反应室中用以在后续转换至该制程线;由该制程线以及一外部大气压力上密封住此反应室;流入一乾燥的惰性洁净气体至该反应室并很接近该些半导体晶圆并且快速地形成遍及于该些半导体晶圆上方以及四周的吹气帮助消除该些晶圆上的污染物;排出该洁净气体以及残留的该些污染物离开该些半导体晶圆以及减缓且缓慢输出该反应室,并降低该反应室内的一压力到达一中间压力准位,使得在该洁净气体持续流动之下复数个液态状的小水滴不能够形成;当该中间压力准位到达后,停止输入该洁净气体;以及之后迅速的降低该压力使得该反应室到达一低基础压力准位用来允许该些晶圆经转换至该制程线上其可以将该些半导体晶圆制作成为些积体电路。图式简单说明:第1图为本发明用来处理半导体晶圆制作成为积体电路之部分设备,此设备包括根据本发明所提供之输出入反应室;以及第2图为第1图上设备的前方部分并且根据本发明所提供与输出入反应室相结合的气体供应以及邦浦。 |
