发明名称 电浆处理装置以及电浆处理方法
摘要 本发明,系关于在大型积体电路(LSI)以及液晶显示器(LCD)等之制造中,被使用于蚀刻、灰化( ashing)、CVD(化学气相沈积,Chemical vapordeposition)中之电浆处理装置以及电浆处理方法。本发明之电浆处理装置系为藉由自微波导入窗导入之微波来产生电浆,且藉由施加在试料台上之高周波来控制电浆中之离子之电浆处理装置;其特征为:将与试料台相对之对向电极(接地电极)设置在微波导入窗之周缘部。又,本发明之电浆处理方法之特征为:此用本发明之电浆处理装置来对试料施行电浆处理。藉由本发明之电浆处理装置和电浆处理方法,可以减少微粒附着在试料上和金属污染,提高半导体元件等之制造良品率。
申请公布号 TW328617 申请公布日期 1998.03.21
申请号 TW086103922 申请日期 1997.03.27
申请人 住友金属工业股份有限公司 发明人 井田英男
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种电浆处理装置,系为具备微波供给手段、及具有微波导入窗和与此微波导入窗相对之试料台之反应容器、及施加高周波至试料台上之手段、及与试料台相对且电路接地之对向电极之电浆处理装置;其特征为:前述对向电极系设置在反应容器之内侧之微波导入窗的周缘部。2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中在微波供给手段和微波导入窗之间,具备与微波导入窗相对配置之微波导波路用之电介质板。3.如申请专利范围第1项或第2项之电浆处理装置,其中将微波导入窗之形状作成保护对向电极先端之形状。4.如申请专利范围第1或第2项之电浆处理装置,其中具备接近微波导入窗之反应容器的外侧面且具有供给微波之孔的金属制微波调整板。5.如申请专利范围第3项之电浆处理装置,其中具备接近微波导入窗之反应容器的外侧面且具有供给微波之孔的金属制微波调整板。6.一种电浆处理方法,其特征为:使用申请专利范围第1、2.3.4或5项之电浆处理装置来对试料施行电浆处理。图示简单说明:第一图系表示以往之电浆处理装置之模式的纵剖面图。第二图系表示以往之对向电极之模式的纵剖面图。第三图系表示本发明之电浆处理装置之第1实施形态之模式的纵剖面图。第四图系第三图之A部分之扩大图。第五图系表示对向电极之1例之环状电极之模式的纵剖面图。第六图为其仰视图。第七图系表示本发明之电浆处理装置之第2实施形态之模式的纵剖面图。第八图为第七图之微波导入窗以及对向电极部分之扩大图。第九图系表示对向电极之1例之模式的纵剖面图。第十图为其仰视图。第十一图系表示本发明之电浆处理装置之第3实施形态之模式的纵剖面图。第十二图系表示本发明之电浆处理装置之第4实施形态之模式的纵剖面图。第十三图系表示微波调整板之1例的平面图。第十四图系表示微波调整板之其他例的平面图。第十五图系表示本发明之电浆处理装置之第5实施形态之模式的纵剖面图。第十六、十七以及十八图系表示晶圆面内之氟代烃之聚合物之成膜速度分布图。第十九图系表示微粒数对电浆放电时间之变化图。
地址 日本