| 主权项 |
1.一种层状结晶构造氧化物,其特征为由铋(Bi)与锶(Sr)与钽(Ta)与氧(O)所成者,其组成式为Bi1.92Sr1.10Ta2.00O9。2.一种层状结晶构造氧化物,其特征为由铋(Bi)与锶(Sr)与钽(Ta)与氧(O)所成者,其组成式为Bi2-aSr1+bTa2O9+,且该组成式中a、b、c各为0<a≦0.2,0<b≦0.3,-0.3≦c≦0.3之値。3.如申请专利范围第2项之层状结晶构造氧化物,其中,层状结晶构造氧化物具常介电性。4.如申请专利范围第2项之层状结晶构造氧化物,其中,层状结晶构造氧化物具强介电性。5.一种层状结晶构造氧化物,其特征为由铋(Bi)与锶(Sr)与钽(Ta)与氧(O)所成者,其组成式为Bi2-aSr1+bTa2O9+,于该组成式中a、b、c各为0<a≦2,0<b≦0.4,-0.3≦c≦1.4之値。6.一种层状结晶构造氧化物,其特征为由铋(Bi)与第1元素与第2元素与氧(O)所成者,同时第1元素为至少一种选自锶(Sr)、铅(Pb)、钡(Ba)及钙(Ca)所成之群且第2元素为至少一种选自铌(Nb)及钽(Ta)所成之群,而第1元素以Me表示,第2元素以R表示之组成式为Bi2-aMe1+bR2O9+,于该组成式中a、b、c各为0<a≦2,0<b≦0.4,-0.3≦c≦1.4之値。7.如申请专利范围第6项之层状结晶构造氧化物,其中组成式中a、b、c各为0<a≦0.2,0<b≦0.3,-0.3≦c≦0.3之値。8.如申请专利范围第6项之层状结晶构造氧化物,其中,层状结晶构造氧化物具常介电性。9.如申请专利范围第6项之层状结晶构造氧化物,其中,层状结晶构造氧化物具强介电性。10.一种层状结晶构造氧化物之制法,其系在组成式为Bi1.92Sr1.10Ta2.00O9之层状结晶构造氧化物的制法中,其特征为使用氧化铋藉由自行熔化法予以制造。11.一种层状结晶构造氧化物之制法,其系在组成式为Bi2-aSr1+bTa2O9+,且该组成式中a、b、c各为0<a≦0.2,0<b≦0.3,-0.3≦c≦0.3之値的层状结晶构造氧化物之制法中,其特征为使用氧化铋藉由自行熔化法予以制造。12.一种层状结晶构造氧化物之制法,其系在组成式为Bi2-aSr1+bTa2O9+,且该组成式中a、b、c各为0<a<2,0<b≦0.4,-0.3≦c≦1.4之値的层状结晶构造氧化物之制法中,其特征为使用氧化铋藉由自行熔化法予以制造。13.一种层状结晶构造氧化物,其系在第1元素以Me表示、第2元素以R表示之组成式为Bi2-aMe1+bR2O9+,且第1元素为至少一种选自锶(Sr)、铅(Pb)、钡(Ba)及钙(Ca)所成之群,第2元素为至少一种选自铌(Nb)及钽(Ta)所成之群,而该组成式中a、b、c各为0<a<2,0<b≦0.4,-0.3≦c≦1.4之値的层状结晶构造氧化物之制法中,其特征为使用氧化铋藉由自行熔化法予以制造。图示简单说明:第一图系为本发明之一实施形态的层状结晶构造氧化物的结晶构造概念图。第二图系为本发明第1之实施例与第2之实施例中制造层状结晶构造氧化物时使用的二层坩埚之构成图。第三图系为本发明第1之实施例中制得的单结晶之X线折射图形(a)与读取带、模拟、图形(b)。第四图系为本发明第1之实施例中所得的单结晶之热分析结果的特性图。第五图系为本发明第2之实施例中观察施加电压时之结晶变化所使用的偏光显微镜构成图。第六图系为本发明第2之实施例中所得的单结晶之X线折射图形(a)与读取带、模拟、图形(b)。 |
