利用离子植入技术制造只读存贮器的方法

摘要

一种利用离子植入技术制造只读存贮器元件的方法，其特点是在已完成栅极与源／漏极的元件上全面沉积－SiO₂层；再沉积一层硼磷硅酸盐玻璃；再用金属接触光掩模刻蚀至露出源／漏极顶部、后除去光阻；再用接触栓光掩模作离子植入，后除出光阻；再利用编码植入，先将部分拟编码区的硼磷硅酸盐玻璃蚀刻至很薄；然后进行高能离子编码植入；最后形成金属连线。本制造方法大幅度地将原交货时间３５天减少一半以上。

主权项

1、一种n通道只读存贮器元件的制造方法，包含步骤：(a)在基板上制作一P型井区；(b)形成一栅极氧化层；(c)在半导体晶片上界定一栅极；(d)制作源/漏极； 其特征在于，还包括步骤：(e)全面性覆盖一介电层在整个半导体晶片上；(f)制作接触窗(contact layer)；(g)在欲编码区域部分蚀刻介电层，得使该栅极顶端介电层变薄；(h)以磷离子物种穿透栅极至通道区作只读存贮器编码；(i)形成金属连线。