发明名称 用于制造薄膜受激镜面阵列的方法
摘要 本发明包括一种制造适用于光学投影系统的M×N薄膜受激镜面阵列的方法,该方法的步骤包括:制备一个激励矩阵;形成薄膜蚀去层;在薄膜蚀去层的顶层处形成抗氧化层形成空腔矩阵;设置弹性体层;在弹性体层中形成导体阵列;依次配置第二薄膜层、薄膜电致位移层和第一薄膜层,以形成多层结构;处理多层结构,直到将薄膜蚀去层暴露出来为止;除去薄膜蚀去层,以形成M×N薄膜受激镜面的阵列。
申请公布号 CN1175700A 申请公布日期 1998.03.11
申请号 CN97116792.3 申请日期 1997.08.29
申请人 大宇电子株式会社 发明人 具明権;严珉植
分类号 G02B27/18;G02F1/01 主分类号 G02B27/18
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 蹇炜
主权项 1.一种适用于光学投影系统的M×N薄膜受激镜面的阵列,其特征在于该阵列包括:一个具有基底和一个M×N连接端子阵列的激励矩阵;一个形成在激励矩阵顶层处的钝化层;一个形成在钝化层顶层处的蚀刻阻止层;一个具有M×N受激镜面结构的阵列,每一个受激镜面结构均包括有一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移元件、一个第二薄膜电极、一个弹性元件和一个抗氧化元件,薄膜电致位移元件配置在两个电极之间,而抗氧化元件配置在弹性元件之下,其中的每一个第二薄膜电极均通过导体与相应的连接端子相连接,作为每一个薄膜受激镜面中的信号电极,而每一个第一薄膜电极被用作为镜面以及设置在其中的偏置电极。
地址 韩国汉城