发明名称 | 阴极射线管装置 | ||
摘要 | 本发明在校正会聚慧形象差的同时,校正了荧光屏面角部的绿色误会聚,因而可以获得具有良好会聚特性的阴极射线管装置。表示本发明的偏转系统产生的偏转方向磁通密度变化曲率的二次畸变系数H2在Z轴上磁场分布曲线,在规定的入口面EN附近,有负的最小值H2a,在与规定的出口面EX之间,有正的最大值H2b,表示负的最小值H2a的绝对值和正的最大值H2b的绝对值之间的偏差的用正的最大值H2b的绝对值归一化的系数rh(=|H2b|-|H2a|/|H2b|),设定为-0.30以上且在0.19以下。 | ||
申请公布号 | CN1175077A | 申请公布日期 | 1998.03.04 |
申请号 | CN96114472.6 | 申请日期 | 1996.11.15 |
申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 本多正信;大濑敏夫;谷轮贤一郎;岩崎胜世 |
分类号 | H01J29/76 | 主分类号 | H01J29/76 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 姜郛厚;叶恺东 |
主权项 | 1、一种阴极射线管装置,它是配备有:玻璃面板;具有与上述玻璃面 板后部连接的玻璃漏斗的阴极射线管本体;设置于上述阴极射线管本体后 部的电子枪;以及至少具有配置于上述阴极射线管本体后部外周的水平偏 转线圈、设置于上述水平偏转线圈外侧的垂直偏转线圈和磁芯的偏转系统 的阴极射线管装置,其特征是,表示上述偏转系统产生的水平偏转磁场的, 线圈的中心轴(Z轴)和直角断面(X-Y断面)的偏转方向磁通密度变化 曲率的二次畸变系数H2的Z轴上磁场分布曲线,在上述水平偏转线圈的 上述电子枪侧凸缘部的位置,在规定的人口面附近,具有负的最小值H2a, 在上述人口面与上述水平偏转线圈的荧光屏侧凸缘部的位置,在与规定的 出口面之间,具有正的最大值H2b,表示负的最小值H2a和正的最大值 H2b的绝对值之间的偏差,用正的最大值H2b的绝对值归一化的系数rh(= (|H2b|-|H2a|)/|H2b|)是-0.30以上且在0.19以下。 | ||
地址 | 日本大阪府 |