| 主权项 |
1.一种金合金线,其中0.2至5.0%重量比钯(Pd)及1至100ppm重量比铋(Bi)添加至具有纯度至少99.99%重量比之金。2.如申请专利范围第1项之金合金线,其中该金纯度至少为99.999%重量比。3.如申请专利范围第1项之金合金线,其中该Pd数量系于0.5至5.0%重量比之范围。4.mbox如申请专利范围第1项之金合金线,其中该Bi数量系于1系40ppm重量比之范围。5.mbox如申请专利范围第1项之金合金线,其中至少一种选自钇(Y),镧(La),钙(Ca)及铍(Be)之元素以3至250ppm重量比数量进一步添加至该金。6.如申请专利范围第5项之金合金线,其中该至少一种元素之数量为3至70ppm重量比。7.mbox如申请专利范围第5项之金合金线,其中至少三种选自钇(Y),镧(La),钙(Ca)及铍(Be)之元素添加至该金。8.mbox如申请专利范围第5项之金合金线,其中至少三种元素钇(Y),镧(La),及钙(Ca)添加至该金。9.如申请专利范围第1项之金合金线,其中该线特别设计适合形成隆起物。10.如申请专利范围第1项之金合金线,其中该线特别适合接线。11.一种形成金合金隆起物之方法,包括下列步骤:于通经毛细管之金合金线一端形成一个珠,下降该毛细管而压缩及黏合该珠至IC晶片电极,及向上拉扯金合金线而由黏合于电极的珠拉断金合金线,因此于IC晶片电极上形成金合金隆起物,其中该金合金线具有一种组成,其中0.2至5.0%重量比钯(Pd)及1至100ppm重量比铋(Bi)添加至具有纯度至少99.99%重量比之金。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该金纯度至少为99.999%重量比。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该Pd数量系于0.5至5.0%重量比之范围。14.mbox如申请专利范围第11项之方法,其中至少一种选自钇(Y),镧(La),钙(Ca)及铍(Be)之元素之3至250ppm重量比数量进一步添加至该金。15.mbox如申请专利范围第14项之方法,其中至少三种选自钇(Y),镧(La),及钙(Ca)之元素添加至该金。16.一种形成金合金隆起物之方法,包括下列步骤:于通经毛细管之金合金线一端形成一个珠,下降该毛细管而压缩及黏合该珠至IC晶片电极,于珠上方对金合金线形成一个凹口,及向上拉扯金合金线而由黏合于电极的珠拉断金合金线,因此于IC晶片电极上形成金合金隆起物,其中该金合金线具有一种组成,其中0.2至5.0%重量比钯(Pd)至1至100ppm重量比铋(Bi)添加至具有纯度至少99.99%重量比之金。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该金纯度至少为99.999%重量比。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该Pd数量系于0.5至5.0%重量比之范围。19.mbox如申请专利范围第16项之方法,其中至少一种选自钇(Y),镧(La),及钙(Ca)之元素以3至250ppm重量比数量进一步添加至该金。20.如申请专利范围第19项之方法,其中至少三种选自钇(Y),镧(La)及钙(Ca)之元素添加至该金。21.mbox一种接线方法,其中使用一种线具有组成,其中0.2至5.0%重量比钯(Pd)及1至100ppm重量比铋(Bi)添加至具有纯度至少99.99%重量比之金。22.如申请专利范围第21项之方法,其中至少一种选自钇(Y),镧(La),及钙(Ca)及铍(Be)之元素以3至250ppm重量比数量进一步添加至该金。图示简单说明:第一A至第一C图显示藉单纯拉扯线形成隆起物之方法;第二A,二B,二B'及二C图显示藉拉扯一个有凹口线形成隆起物之方法;第三图为第一C图之隆起物之部分之放大视图;第四图为第二B'图之凹口部分之放大视图;及第五图显示其中进行接线之半导体装置。 |
