发明名称 |
奈米碳管阵列的转移方法及奈米碳管结构的制备方法 |
摘要 |
明提供一种奈米碳管阵列的转移方法,提供一代替基底及一生长基底,该生长基底表面具有奈米碳管阵列;使该代替基底与该奈米碳管阵列之间具有水;使位于该代替基底与该奈米碳管阵列之间的水变为冰;通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方,使该代替基底与该生长基底相远离,从而使该奈米碳管阵列与该生长基底分离,并转移至该代替基底;以及通过升温去除位于该代替基底与该奈米碳管阵列之间的冰,去除冰后该奈米碳管阵列的形态仍能够使得一奈米碳管结构从该奈米碳管阵列中连续地拉出。 |
申请公布号 |
TWI534081 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
申请号 |
TW103112921 |
申请日期 |
2014.04.08 |
申请人 |
鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01);B82Y30/00(2011.01);B82B3/00(2006.01);B82Y40/00(2011.01);H01B5/14(2006.01);H01B13/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种奈米碳管阵列的转移方法,包括以下步骤:提供一代替基底及一生长基底,该生长基底表面具有奈米碳管阵列,该奈米碳管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面,远离该生长基底的表面为第二表面,该奈米碳管阵列的形态能够使得一奈米碳管结构从该奈米碳管阵列中连续地拉出;将该代替基底设置在该奈米碳管阵列的第二表面,并使该代替基底与该奈米碳管阵列的第二表面之间具有水;使位于该代替基底与该奈米碳管阵列的第二表面之间的水变为冰;通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方,使该代替基底与该生长基底相远离,从而使该奈米碳管阵列与该生长基底分离,并转移至该代替基底;以及通过升温去除位于该代替基底与该奈米碳管阵列之间的冰,去除冰后该奈米碳管阵列维持该形态使该奈米碳管结构仍能够从该奈米碳管阵列中连续地拉出,该奈米碳管结构包括多个首尾相连的奈米碳管。
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地址 |
新北市土城区自由街2号 |