| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种功率FET,不易产生依赖于相邻焊盘间距的振荡。本发明具有用于第一接线端的多个焊盘,按非均匀间距位于芯片一侧;用于第二接线端的多个焊盘,位于芯片另一侧。因此,功率FET不易产生依赖于相邻焊盘间距的振荡。 | ||
| 申请公布号 | CN1174410A | 申请公布日期 | 1998.02.25 |
| 申请号 | CN97117875.5 | 申请日期 | 1997.07.08 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 甲斐靖二;山本寿浩;伊东昌章;田中幸太郎 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L29/80 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 傅康;萧掬昌 |
| 主权项 | 1、一种功率FET，形成在半导体芯片上，包括：用于第一接线端的多个焊盘，按非均匀间距位于半导体芯片的一侧；用于第二接线端的多个焊盘，位于半导体芯片的另一侧。 | ||
| 地址 | 日本东京港区 | ||