发明名称 | 场发射阴极及其生成方法 | ||
摘要 | 一种改进的场发射阴极及其制造方法,在本发明的方法中,该场发射阴极是由至少一个包含第一种物质的本体构成的。该方法包括步骤:在该本体的发射表面生成凹凸不平之处,将具有低功函数的第二种物质的离子加到该本体的发射表面,和通过将可变电场施加到该本体上并逐步增强场强来改变引起场发射的发射表面。 | ||
申请公布号 | CN1174629A | 申请公布日期 | 1998.02.25 |
申请号 | CN96191941.8 | 申请日期 | 1996.02.15 |
申请人 | 莱特拉伯公司 | 发明人 | V·S·凯弗坦诺夫;A·L·苏沃罗夫;E·P·谢斯欣 |
分类号 | H01J1/30 | 主分类号 | H01J1/30 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马莹 |
主权项 | 1、一种场发射阴极生成的方法,该场发射阴极至少包括一具有第一种物质的本体,其中所述至少一本体有至少一个具有凹凸不平之处的发射平面,所述方法包括下述步骤:-通过对所述至少一本体施加可变电场改变所述发射表面,从而从所述发射表面引起电子场发射,和以限制所述发射表面的所述凹凸不平之处劣化的方式增加所述可变电场。 | ||
地址 | 瑞典斯德哥尔摩 |