PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEURS AYANT UN CONDENSATEUR DE TYPE EN ARBRE

摘要

Le condensateur de type en arbre qui est produit par le procédé de l'invention comprend une électrode de stockage ayant une couche conductrice en forme de tronc (34a) connectée à au moins une couche conductrice en forme de branche (28a), pouvant avoir diverses formes permettant d'augmenter l'aire de surface de la couche en forme de branche. Cette dernière est formée en déposant successivement sur un substrat (10) au moins une couche isolante et au moins une couche conductrice, de façon que la couche conductrice présente une série de changements de direction définissant la forme de la couche en forme de branche (28). La couche en forme de tronc (34a) est formée de façon à être en contact avec une région de source/drain (16a) d'un transistor de transfert du dispositif. Une couche diélectrique (36a) et une couche conductrice de recouvrement (38) complètent le condensateur.