DOUBLE PATTERNING METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR ACTIVE AREAS AND ISOLATION REGIONS

摘要

이중 패턴화 공정을 이용하여 반도체 기판 내에 활성 영역들 및 분리 구역들을 형성하는 방법이 개시된다. 방법은 기판 표면 상에 제1 재료를 형성하는 단계; 제1 재료 상에 제2 재료를 형성하는 단계; 제2 재료 내에 서로 평행한 복수의 제1 트렌치들을 형성하는 단계; 제2 재료 내에 복수의 제1 트렌치들에 수직이고 기판의 중심 구역에서 복수의 제1 트렌치들을 가로지르는 제2 트렌치를 형성하는 단계; 제1 및 제2 트렌치들을 제3 재료로 충전하는 단계; 서로 평행하며 기판의 중심 구역을 통하여 연장되지 않는 제3 트렌치들을 제3 재료 내에 형성하도록 제2 재료를 제거하는 단계; 및 제3 트렌치들을 제1 재료를 통하여 기판 내로 연장시키는 단계를 포함한다.