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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Transistors mit retrogradierter n-Wannenkathode
摘要
申请公布号 DE69316134(D1) 申请公布日期 1998.02.12
申请号 DE19936016134 申请日期 1993.08.12
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 ROBINSON, MURRAY J., FALMOUTH, MAINE 04105, US;JOYCE, CHRISTOPHER C., GORHAM, MAINE 04308, US;LUK, TIMWAH, FALMOUTH, MAINE 04105, US
分类号 H01L27/06;H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/07;H01L29/47;H01L29/73;H01L29/872;(IPC1-7):H01L27/07 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
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