形成场布植之方法

摘要

本发明是在半导体的制程中，当场氧化层形成结束后，并未移去介电层，接着施行离子布植步骤，并使离子穿透过介电层与场氧化层，这种制程可以改善寄生电容与主体效应(Body Effect)，以及接合面(Junction)下方的高浓度植入离子产生的遗漏电流(Leakage Current)，与鸟嘴形状(Bird's Beak)位置的空乏区中的反窄宽度效应(Reverse Narrow Width Effect)。

主权项

1.一种形成场布植之方法,包括下列步骤:提供一矽基底,该矽基底上形成有已定义之一氮化矽层,该氮化矽层下方与该矽基底表面有一垫氧化层,该氮化矽层暴露出欲形成一场氧化层之该垫氧化层表面;以及进行热制程形成该场氧化层,保留该氮化矽层,形成一光阻层,暴露出一特定之区域进行离子布植,离子穿透该场氧化层形成一场布植,离子并穿透该保留之氮化矽层以及该垫氧化层在该主动区域中之该矽基底表面形成一浅接合面。2.如申请专利范围第1项所述之形成场布植之方法,其中该热制程之前更包括形成一井区于该矽基底上。3.如申请专利范围第1项所述之形成场布植之方法,其中该离子布植步骤系高能量离子布植。4.如申请专利范围第1项所述之形成场布植之方法,其中该离子布植步骤所使用的离子剂量约为31012atoms/cm2。5.如申请专利范围第1项所述之形成场布植之方法,其中该离子布植步骤所使用的能量约为180keV。图示简单说明:第一A至一B图是一种剖面图,系绘示习知的形成场布植之制造流程。第二A至二B图是一种剖面图,系绘示依照本发明一较佳实施例的形成场布植之制造流程。第三图是矽基底之深度对离子浓度作图,系绘示依照本发明一较佳实施例与习知技艺之比较图。