发明名称 湿蚀刻装置
摘要 本发明系有关一种用以制造一半导体装置的湿蚀刻装置,该装置包括一动力源、用以传送该动力源之动力的一传送装置、以及使用由该传送装置传送之该动力源的动力来反转放置于一处理浴中之一晶圆之底与顶位置的滚筒。此处,在开始装载时,该晶圆之顶与底于卸载之前被反转。因此,该晶圆之整个表面花费在该溶液中的时间相同并且可以被均匀地蚀刻。
申请公布号 TW326554 申请公布日期 1998.02.11
申请号 TW085114281 申请日期 1996.11.20
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 文常乐
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种湿蚀刻装置,包含:一动力源;用以传送该动力源之动力的一传送装置;以及一滚筒,其使用由该传送装置传送之该动力源的动力来反转放置于一处理浴中之一晶圆之底与顶位置。2.如申请专利范围第1项之湿蚀刻装置,其中该滚筒系由欲与由该载具部份地暴露出来之晶圆之周缘接触的一支持构件所支持。3.如申请专利范围第1项之湿蚀刻装置,还包含用以侦测一平坦区域被该滚筒排成一直线的一感应器。4.如申请专利范围第2项之湿蚀刻装置,其中该滚筒与该支持构件系由对一化学溶液为耐腐蚀的材料所制成。5.如申请专利范围第4项之湿蚀刻装置,其中该对一化学溶液耐腐蚀的材料为铁弗龙。图示简单说明:第一图是一截面图,显示一习知的湿蚀刻装置;第二图是一立体图,显示本发明之一实施例的一湿蚀刻装置;第三与四图是截面图,显示第二图之湿蚀刻装置。
地址 韩国