| 摘要 |
<p>Es wird ein vertikaler Bipolartransistor für den Hochleistungsbereich vorgeschlagen, der aus einer Poly-Si/TiSi2-Emitterschicht, einer Basisschicht und einer kammartigen Kollektorschicht besteht, wobei ein kammartiger Isolationsgraben (5) mit der kammartigen Kollektorschicht verzahnt ist. Weiterhin wird ein mehrschichtiges metallisiertes Elektrodensystem mit hoher Zuverlässigkeit verwendet. Der Isolationsgraben erstreckt sich bis tief in das Substrat und die Bodenfläche des kammartigen Isolationsgrabens ist größer als die Fläche des Kollektorübergangs. <IMAGE></p> |
