Method of making an isolation layer serving as intermetal dielectric

摘要

Bei der Erzeugung hochintegrierter Schaltkreise treten innerhalb der Leiterbahnenebenen starke Höhenunterschiede auf. Diese extremen Topographien führen zu Schwierigkeiten bei den Fotolithographieprozessen, da ein direkter Zusammenhang zwischen Auflösung und Tiefenschärfe besteht. Es wird ein neues Verfahren zum Aufbringen eines Intermetalldielektrikums vorgestellt, das auf einer ozonaktivierten selektiven Abscheidung von Siliziumoxid beruht. Dabei werden die Leiterbahnen vollkommen mit einer Isolationsschicht eingekapselt, so daß es nicht zu Ausbuchtungen oberhalb der Oberkannten der Leiterbahnen kommt. <IMAGE>