| 发明名称 | 发光器件、发光器件的晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明可得到一种具有蓝光亮度更高的发光器件。在GaAs衬底(8)上形成氮化镓复合层(9),然后至少部分去除GaAs衬底(8)以形成发光器件。由于去除了GaAs衬底(8),与全部保留GaAs衬底(8)的情况相比,光吸收减少。这样,可以得到蓝光亮度更高的发光器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1171621A | 申请公布日期 | 1998.01.28 |
| 申请号 | CN97113522.3 | 申请日期 | 1997.05.30 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 元木健作;津充;三浦祥纪 |
| 分类号 | H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种制备发光器件晶片的方法，该方法包括下列步骤：在GaAs衬底(8)上形成氮化物复合层(9)；和在形成所述氮化物复合层后，至少部分去除所述GaAs衬底。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||