数位储存元件

摘要

一种数位式储存元件，它除了尺寸小外，其读入及读出过程速度也很快。半导体记忆体可达成高记忆密度，但速度共有十亿赫之一小部分。知之具有一记忆容量及数个读写管的储存元件（它们之中至少有一个用电子束偏转来控制）的速度只快上一个次方数量级，而且尺寸太大。具有读写管之一种数位式储存元件（它还要更快上至少另一个数量级，且较小）系由三个小型化的电子管利用知及附加的石版印刷(Lithographie)制造，其中一个小电容与一写入管的阳极，一消除管的阴极以及一读出头的偏转元件连接，该读出管依充电状态而将电子束偏转到二个检出器之一。在所有知之可能应用情形使用这种数位储存元件都很有利，且由于其有利的制造可能性及性质，而可用到其他应用领域。

主权项

1.一种数位储存元件,具有输入端子,用于写入,消除,并具有输出端以将状态读出,该元件系由一储存电容器及数个小型化电子管构成,电子管之中有一个电子管用电子束偏转控制,其特征在:有一个很小的储存电容器C,具有三个小型化电子管,利用习知及附加之石版印刷制成,且与一写入管的阳极,一消除管(K1 r)的阴极及一读出管(ABar)的偏转元件连接,因此该电容器可用该写入管充电而用该消除管放电,依其间保持不变的充电状态而定,偏转到二个与该状态输出端连接的检出器(D1 ar、D2ar)其中之一上,未充电则偏转到检出器(D1 ar)上,在负充电时偏转到检出器(D2 ar)上。2.如申请专利范围第1项之数位储存元件,其中:该写入管及消除管为二极体,且写入管(Ker)之阴极与一电流限制电阻配合,该电阻定出在电压脉波达到在读出管之偏转元件(ABar)上的所需偏转电压时,储存电容器(C)的充电量。3.如申请专利范围第1项之数位储存元件,其中:该读出管由一阴极,一分开之分离器以及二个相绝缘的阳极构成,它们与一储存矩阵之输出端子或其他储存元件连接。4.如申请专利范围第1项之数位储存元件,其中:该储存电容器(C)内容要消除,系在该消除管(A1 r)之阳极利用场发射施一「消除分离器电压」+Uextr而达成。图示简单说明:第一图系一数位储存元件的构造。