| 主权项 |
1.一种非对称性淡掺杂汲极结构之制造方法,可适用于一半导体基板,上述半导体基板上具有一金氧半电晶体之闸极结构,其包括下列步骤:形成一表面氧化层于上述闸极结构之上方和侧边,以及上述半导体基板之上;形成复晶矽构成之边墙间隔物,于上述闸极结构侧边之位置;利用光阻显影蚀刻技术,去除置于上述金氧半电晶体源极位置之上述边墙间隔物;布植形成上述金氧半电晶体之源极和汲极之浓掺杂区;去除置于上述金氧半电晶体汲极位置之上述边墙间隔物;以及布植形成上述金氧半电晶体之汲极之淡掺杂区。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,形成上述边墙间隔物之步骤包括:形成一复晶矽层于上述表面氧化层之上;以及非等向性蚀刻上述复晶矽层,于上述闸极结构之侧边位置形成上述边墙间隔物。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,非等向蚀刻上述复晶矽之步骤中,系以上述表面氧化层做为蚀刻终止面,避免上述闸极结构和上述半导体基板受到蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,去除置于上述金氧半电晶体源极位置之上述边墙间隔物之步骤,系利用等向性蚀刻达成。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,去除置于上述金氧半电晶体汲极位置之上述边墙间隔物之步骤,系利用等向性蚀刻达成。6.如申请专利范围第4或第5项所述之制造方法,其中,上述等向性蚀刻步骤系以上述表面氧化层为蚀刻终止面。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述表面氧化层的厚度大约为100A。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述半导体基板为N型,上述金氧半电晶体之汲极和源极为P型。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,上述半导体基板为P型,上述金氧半电晶体之汲极和源极为N型。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,可交换顺序实施布植形成上述金氧半电晶体之浓掺杂区和淡掺杂区之步骤,藉以减少源极和汲极接面之深度。图示简单说明:第一图至第六图系为本发明之非对称性淡掺杂汲极结构之制造流程剖面图。 |
