ELEMENTOS LASER DE SEMI-CONDUCTORES Y METODO DE FABRICACION.

摘要

UN ELEMENTO LASER SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN SUSTRATO GAAS (1) COLOCADO SOBRE EL CON UNA CAPA ACTIVA (4) DE CONSTRUCCION DE POZO CUANTICA ESTIRADA QUE CONSTA DE UNA CAPA DE POZO CUANTICA ESTIRADA Y UNA CAPA BARRERA GAAS Y DE CAPAS CHAPADAS (5A, 3A) COLOCADAS POR ENCIMA Y POR DEBAJO DE DICHA CAPA ACTIVA POR MEDIO DE CRECIMIENTO EPITAXIAL. EL COEFICIENTE DE DESAJUSTE DE LA CELOSIA DE LA CAPA CHAPADA CON RESPECTO AL SUSTRATO ES MENOR DE 10 ELEVADO 3.