发明名称 Evaporated solderable multilayer contact for silicon semiconductor
摘要 An evaporated multilayer solderable low resistance contact for N-type and P-type regions on a semiconductor body comprising an aluminum layer directly on the semiconductor body, an evaporated manganese layer on the aluminum layer and an evaporated nickel layer on the manganese layer.
申请公布号 US4035526(A) 申请公布日期 1977.07.12
申请号 US19760691338 申请日期 1976.06.01
申请人 GENERAL MOTORS CORPORATION 发明人 KONANTZ, MARK L.;LEISURE, RONALD K.
分类号 B23K35/00;H01L21/60;H01L23/482;(IPC1-7):B44D1/14;B44D1/18 主分类号 B23K35/00
代理机构 代理人
主权项
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