| 发明名称 | 三维微结构光寻址电位传感器 | ||
| 摘要 | 三维微结构光寻址电位传感器，包括在硅单晶片6上的下电极11，在下电极11上有绝缘层12，敏感膜13复合在绝缘层上，发光器件5放置在下电极的下部，偏置电压1与参比电极2相连，参比电极2与硅单晶片6构成微型腔体。本发明结构合理，参比电极与测量池一体化、微型化，这样既可以节约待测溶液，又可以与IC工艺兼容，特别容易集成化和多功能化。 | ||
| 申请公布号 | CN1168975A | 申请公布日期 | 1997.12.31 |
| 申请号 | CN97103670.5 | 申请日期 | 1997.03.26 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 韩泾鸿 |
| 分类号 | G01N27/26 | 主分类号 | G01N27/26 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1、三维微结构光寻址电位传感器，包括在硅单晶片6上的下电极11，在下电极11上有绝缘层12，敏感膜13复合在绝缘层上，发光器件5放置在下电极的下部，偏置电压1与参比电极2相连，其特征是参比电极2与硅单晶片6构成微型腔体。 | ||
| 地址 | 100080北京市中关村路17号 | ||