| 发明名称 | 半导体薄膜，半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，有源层只由单畴区构成。处于有源层下的绝缘膜有预定图形的特定的表面结构，包括凹凸形。为制成有源层，在衬底上溅射形成氧化硅膜。对氧化硅膜刻图形成表面结构。在氧化硅膜上用低压CVD形成非晶硅膜。使氧化硅膜和/或非晶硅膜中含促进结晶的金属元素。进行第1热处理使非晶硅膜变成结晶硅膜。之后在含卤素的气氛中进行第2热处理，在结晶硅膜上形成含卤的热氧化膜使结晶硅膜变成单畴区。 | ||
| 申请公布号 | CN1169026A | 申请公布日期 | 1997.12.31 |
| 申请号 | CN97109936.7 | 申请日期 | 1997.02.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;宫永昭治;福永健司 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王忠忠 |
| 主权项 | 1、在衬底上形成的绝缘膜上的半导体薄膜，所述薄膜包括：单畴区，其中包括与所述衬底基本平行的许多柱形成针状晶体；所述绝缘膜处于所述薄膜之下，并有凹凸图形。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||