发明名称 | 半导体器件的凸出电极形成方法 | ||
摘要 | 这是一种具有把粘结剂附加到半导体器件的焊盘电极上边的粘结剂处理工序,使一个或二个以上的焊锡小粒附着到已附加了粘结剂的部分上的焊锡小粒附着工序,和使焊锡小粒熔融以形成凸出电极的焊锡熔融工序的半导体器件的凸出电极形成方法,在上述加热熔融焊锡小粒形成凸出电极的工序中,构成为使金属心嵌入凸出电极内部。这样,就可以得到以简单的工序形成了可靠性高的凸出电极的半导体器件。 | ||
申请公布号 | CN1168195A | 申请公布日期 | 1997.12.17 |
申请号 | CN96191465.3 | 申请日期 | 1996.10.03 |
申请人 | 西铁城时计株式会社 | 发明人 | 佐藤哲夫;石田芳弘 |
分类号 | H01L21/321;H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/321 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种半导体器件的凸出电极形成方法,其特征是,具有下述工序:粘接剂处理工序,用于把粘结剂附加到半导体器件的焊盘电极上边;焊锡小粒附着工序,用于使一个或二个以上的焊锡小粒附着于已附加了粘结剂的部分上;以及焊锡熔融工序,用于熔融焊锡小粒以形成凸出电极。 | ||
地址 | 日本东京都 |