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发明名称 MOS TRANSISTOR STRUCTURE HAVING ELECTROSTATIC BREAKDOWN-PREVENTING CIRCUIT
摘要
申请公布号 JPH09306998(A) 申请公布日期 1997.11.28
申请号 JP19960121932 申请日期 1996.05.16
申请人 UINBONDO ELECTRON CORP 发明人 SHII TORON RIN
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
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