| 发明名称 | 薄膜电阻器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜电阻器的制造方法，先提供绝缘基底，再在其上形成覆盖薄膜电阻层和用烧蚀法除掉其一部分，形成成型薄膜电阻层，用印刷法形成导体引线层，或形成成型导体引线层后，才去掉部分覆盖薄膜电阻层形成成型薄膜电阻层，亦可在形成覆盖薄膜电阻层前后对基底划线，形成相连绝缘基底晶片，并在其上形成成型薄膜电阻层及导体引线层，形成相连薄膜电阻晶片后用物理破裂法从基底分出相连薄膜电阻晶片形成分立薄膜电阻晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1166061A | 申请公布日期 | 1997.11.26 |
| 申请号 | CN97111136.7 | 申请日期 | 1997.05.08 |
| 申请人 | 国巨股份有限公司 | 发明人 | 陈木元;陈泰铭 |
| 分类号 | H01L27/01 | 主分类号 | H01L27/01 |
| 代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 谢晋光 |
| 主权项 | 1.一种薄膜电阻器的形成方法，其包括：提供一种绝缘基底(10)；在所说的绝缘基底(10)上利用一种薄膜淀积法来形成一道覆盖薄膜电阻层(12)；利用一种非光蚀刻能量射束烧蚀法除掉所说的覆盖薄膜电阻层(12)的一部份，以便在所说的绝缘基底(10)上形成一道成型薄膜电阻层(12a)；以及利用一种非光蚀刻印刷法在所说的成型薄膜电阻层(12a)上形成一道成型导体引线层(16a)。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||