| 主权项 |
1.一种在基板上淀积薄膜之磁控管溅射装置,其包含:可抽真空之涂覆槽;置于涂覆室中之磁控管阴极,其中该阴极含有外表面系欲溅射物质之靶极;及置于涂覆室中之阳极,其中该阳极含有由导体放射性凸出之大量尖端的电导体。2.根据申请专利范围第1项之磁控管溅射装置,其中该靶极系长型,该阳极具有长度约等于靶极之长型结构,且其中该长型结构系与该长型靶极相邻且平行。3.根据申请专利范围第2项之磁控管溅射装置,其另外包含第二个阳极,其系第二个具有由第二个导体凸出之大量尖端的第二个导体,其中该第二个阳极具有第二个与靶极约等长之长型结构,其中第二个长型结构系与该长型靶极相邻且实质平行,而第一个阳极与靶极间距约同于第二个阳极与靶极之间距。4.根据申请专利范围第1项之磁控管溅射装置,其中各阳极含有附有大量金属线之导电中心杆,其中各线包括吸引电子且降低介电材料在溅射中累积速率的装置。5.根据申请专利范围第4项之磁控管溅射装置,其中该杆界限一或多个无线之间隙。6.根据申请专利范围第1项之磁控管溅射装置,其中靶极系实质平面。7.根据申请专利范围第1项之磁控管溅射装置,其中该靶极系转动圆柱体。8.一种在基板上淀积薄膜之方法,其包含下列步骤:在可抽真空之涂覆室中放置阴极,其中该阴极含有外表面系欲溅射材料之靶极;在可抽真空室中放置阳极,其中该阳极包括一具有由该导体凸出复数尖端之电导体;溅射该靶极,而在基板上淀积薄膜。9.根据申请专利范围第8项之淀积薄膜方法,其中该靶极系长型且该阳极具有约与该靶极等长之长型结构,该长型结构与该靶极相邻且实质平行,且另外包括使反应性气体流入可抽真空涂覆室之步骤。图示简单说明:第一图系具大量尖端之阳极透视图。第二图系第一图阳极所用之线轮切面图。第三图系本发明阳极略图。第四图系具有一对阳极之圆柱型阴极的切面略图。第五图系具双阳极之平面阴极透视图。第六图系磁控管装置平面图,其环状平面靶极具有与该靶极周围有某些距离之阳极。第七图系具单一阳极之圆柱型阴极切面图。第八、九及十图系膜厚变化表分比相对于基板位置之关系图。 |
