晶片浓度量测标准片的制造方法

摘要

一种校正FTIR(Fourier Transform Infrared)或XRF(X Ray Fluorescence)机台量测条件的晶片浓度量测标准片，其制造方法如下，首先在基板上沉积一层矽玻薄膜 (Silicon Glass Film)，其组成材料可以是BSG(Boron Silicon Glass)、 PSG(PhosophrousSilicon Glass)或BPSG(Boron Phosophrous Silicon Glass)其中之一，然后在矽玻薄膜之上沉积一层很薄的氮化矽层(Nitride)。根据实证显示，此种方式制备的标准晶片，具有长时限稳定性及易于做为即时(in-line)监测系统的特性。

主权项

1.一种晶片浓度量测标准片的制作方法,系包括:mboxa.在基板上之使用化学气相沉积法 (chemicalvapor deposition; CVD)沉积一层矽玻薄膜;b.在该矽玻薄膜之上,使用电浆辅助化学气相沉积法(PECVD)沉积一层氮化矽层,作为保护层之用。2.如申请专利范围第1项所述晶片浓度量测标准片的制作方法,其中该矽玻薄膜的材料是由BSG、PSG和BPSG所组成的群组之一所构成。3.如申请专利范围第1项所述晶片浓度量测标准片的制作方法,其中该氮化矽层的厚度系介于100到300埃之间。图示简单说明:第一图系显示以矽玻薄膜为材料的标准试片,其结构的剖面图,在基板上沉积一层矽玻薄膜,在矽玻薄膜之上覆盖一层保护层。第二图系显示以矽玻薄膜为材料的标准试片,以FTIR方式作量测,曲线a为未加保护层的标准试片、曲线b为加上保护层的标准试片和曲线c为放置六个月的标准试片作量测所得的曲线结果。第三图系显示以矽玻薄膜为材料的标准试片,分别量测B2O3和P2O5的浓度含量与时间的关系图。