首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
TSUSHINSHISUTEMU
摘要
申请公布号
JP2664679(B2)
申请公布日期
1997.10.15
申请号
JP19870136257
申请日期
1987.05.30
申请人
TOSHIBA KK
发明人
MATSURA HIROSHI
分类号
H04M3/56;G06F17/28;H04N7/14;(IPC1-7):H04M3/56
主分类号
H04M3/56
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
侦测人类PERIOSTIN之新颖分析法;NOVEL ASSAY TO DETECT HUMAN PERIOSTIN
用于有机电子装置之杂并苯(heteroacenes);HETEROACENES FOR ORGANIC ELECTRONICS
螺二氢吲哚衍生物及其医药组合物;SPIROINDOLINE DERIVATIVES AND PHARMACEUTICAL COMPOSITIONS THEREOF
环丁烷四羧酸衍生物之制造方法
有机电激发光元件;ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
新颖PDE4抑制剂
制备羧醯胺类之方法;METHOD FOR PRODUCING CARBOXAMIDES
喹啉衍生物;QUINOLINE DERIVATIVE
化合物、着色组成物、喷墨记录用墨水、喷墨记录方法、喷墨印表机墨水匣及喷墨记录物;COMPOUND, COLORING COMPOSITION, INK FOR INKJET RECORDING, INKJET RECORDING METHOD, INKJET PRINTER CARTRIDGE, AND INKJET RECORD
相对于热和/或氧的稳定性好的酚类化合物及其制造方法
芳基磺酸化合物及其利用
一种化合物3(2-乙醯胺基-乙醯胺基)-丙酸的晶型A及其制备方法和应用;CRYSTAL FORM A OF 3(2-ACETYLAMINO-ACETYLAMINO)-PROPIONIC ACID, ITS PREPARING METHOD AND APPLICATION THEREOF
制备乙烯之方法;PROCESS FOR PREPARING ETHENE
电弧炉炉渣人造石材料之制造方法
减少氧化矽之重量百分比以改善制程能耗之玻璃材料
氧化物烧结体、溅镀用靶、及使用其而获得之氧化物半导体薄膜
氟化钙构件、其制造方法、及氟化钙结晶之压接方法
二极体碳奈米颗粒之制备与应用;PREPARATION AND APPLICATION OF CARBON NANOPARTICLE DIODE
晶片托盘及晶片容置系统;CHIP TRAY AND CHIP PLACEMENT SYSTEM
薄膜卷