Device in nitrogen containing semiconductor material

摘要

Bauelement mit einer Nitrid-Heterostruktur aus III-V-Halbleitermaterial, die eine aktive Schicht mit hohem Indiumgehalt und eine indiumhaltige Pufferschicht umfaßt und innerhalb derer die Gitterkonstante im wesentlichen durch die Gitterkonstante dieser Pufferschicht bestimmt ist. Zwischen der aktiven Schicht und angrenzendem Halbleitermaterial befindet sich ein Sprung in der Energiebandlücke. Diese Schichtfolge ist auf ein Substrat (z. B. Saphir oder SiC) oder auf eine Halbleiterschicht (z. B. GaN, AlGaN oder AlN) aus einem Material mit einer wesentlich verschiedenen Gitterkonstante aufgewachsen. Das Bauelement ermöglicht es, eine aktive Schicht mit besonders hohem atomarem Anteil an Indium in der III-Komponente auf einem herkömmlichen Substrat so herzustellen, daß die Versetzungen in der Gitterstruktur der aktiven Schicht in tolerierbaren Grenzen bleiben.