发明名称 | 磁致电阻元件和传感器 | ||
摘要 | 一磁致电阻元件通常包括:依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层,磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚,元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚,抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点,输出很好的再现信号,并有对应于输出信号的所要求的半波长。 | ||
申请公布号 | CN1161577A | 申请公布日期 | 1997.10.08 |
申请号 | CN96109802.3 | 申请日期 | 1996.09.16 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 林一彦;藤方润一;山本英文;石原邦彦;中田正文 |
分类号 | H01L43/08;G11B5/39 | 主分类号 | H01L43/08 |
代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂;卢纪 |
主权项 | 1.一磁致电阻元件,其特征在于:它顺序地包括:一抗铁磁性层、一第一铁磁层、一非磁性层和一软磁性材料制成的第二铁磁性层,所述抗铁磁性层其厚度为5-30毫微米,并且是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、及一包括镍氧化物的薄膜和钴氧化物薄膜的叠层中的一种制成的,所述的第一和第二铁磁性层有1-10毫微米的厚度。 | ||
地址 | 日本国东京都 |