半导体器件场氧化膜的制造方法

摘要

一种半导体器件场氧化膜的制造方法，能减少硅片中硅的损耗，防止硅片内杂质分布变化。在具有第一含硅气体和纯净气体的第一反应室在第一温度下在晶片上形成氧化膜，向第一反应室输入纯净气体，把第一反应室的温度调节成第二所定温度，在该温度下，输入第一含硅气体，在氧化膜上面，形成缓冲膜，取出晶片，装入含氮气的第二反应室，输入第二含硅气体，在缓冲膜上面形成氮化硅，形成预定图形后，对露出的部分进行场氧化。

主权项

1、一种半导体器件场氧化膜的制造方法，其特征是包括下列步骤：在具有第一含硅气体和纯净气体气氛的第一反应室中，在第一所定温度，在晶片上形成氧化膜；向第一反应室通入纯净气体，把第一反应室的温度由第一所定温度调节成第二所定温度；在前述第一反应室内的第二温度下通入第一含硅气体，在前述氧化膜上面形成缓冲膜；从第一反应室中取出晶片；把前述晶片装入具有含氮气氛的第二反应室中；向前述第二反应室内通入第二含硅气体，在前述缓冲膜上形成氮化硅膜；为了露出场氧化的预定区域，把前述的氮化硅膜，缓冲膜和氧化膜形成预定的图形；把形成图形的氮化硅膜作为掩模，使露出的部分进行场氧化。