发明名称 | 一种防伪标志的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种防伪标志的制备方法,该方法是用厚度为5~30μ的高分子薄膜为原料,将该薄膜与一镂空有防伪图案的模板相重合,用离子加速器或核材料裂变碎片有控制地辐射,产生核径迹图案,再用紫外光照射氧化,最后用酸或碱蚀刻,形成防伪图案。本发明制备的防伪图案可用肉眼观察,也可用显微镜观察图案中圆孔的直径大小及孔密度,进一步微观识别真伪。而制备时必须具备核技术及尖端设备,无法轻易仿制,因而具有理想的防伪效果。 | ||
申请公布号 | CN1159040A | 申请公布日期 | 1997.09.10 |
申请号 | CN96120701.9 | 申请日期 | 1996.11.22 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 张泉荣;严玉顺;王守忠;张伟;王国欣;樊诗国 |
分类号 | G09F3/00 | 主分类号 | G09F3/00 |
代理机构 | 清华大学专利事务所 | 代理人 | 罗文群 |
主权项 | 1、一种防伪标志的制备方法,其特征在于该方法包括下列各步骤:(1)在一模板上刻出防伪图案,将图案部分镂空,或将图案背景部分镂空;(2)选取厚度为5~30μ的高分子薄膜,将此薄膜与模板相合;(3)以高能重离子从模板一侧向模板辐照,控制辐照的强度和时间以使高分子薄膜上的核径迹的孔密度为104~108/CM2;(4)对高分子薄膜进行紫外光照射氧化,氧化时间1~30分钟;(5)用酸或碱溶液对高分子薄膜进行蚀刻,蚀刻温度40~80℃之间,蚀刻时间为5~30分钟,使径迹上的孔径范围为0.1μ<d<10μ,薄膜上即形成防伪标志。 | ||
地址 | 100084北京市海淀区清华园 |