半导体衬底及其制造方法

摘要

生产平整、质量好SOI衬底的方法，同时包括多孔形成步骤，在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；及大孔隙率层形成步骤，在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域，或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度，进行大孔隙率层形成步骤。在多孔硅层上面外延生长非多孔单晶硅层。把多孔硅层表面和支撑衬底连接在一起，在具有大孔隙率的多孔硅层处进行分离。接着进行选择刻蚀，以便除掉多孔硅层。通过重复利用衬底能节省资源和降低成本。

主权项

1 一种制造半导体衬底的方法，包括下列步骤：多孔形成步骤，用于在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；以及大孔隙率层形成步骤，用于在所述多孔硅层内，距所述多孔硅表面有恒定深度的位置形成大孔隙率的层。