| 发明名称 |
Non-volatile ferroelectric memory with folded bit lines and method of making same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0598596(B1) |
申请公布日期 |
1997.09.10 |
| 申请号 |
EP19930309145 |
申请日期 |
1993.11.16 |
| 申请人 |
RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION |
发明人 |
LARSON, WILLIAM L. |
| 分类号 |
G11C11/22;H01L21/8247;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115 |
主分类号 |
G11C11/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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