发明名称 多合一突波吸收器及制造方法
摘要 本案系一种多合一突波吸收器,其包括:一导电层:一第一电极层,设于该导电层之一面,复数个第二电极层,设于该导电层之另一面;其中:该复数个第二电极层两两间之最短导电距离大于该导电层厚度之2倍,使该第一电极层、该导电层与每一该第二电极层,以及,每二个该第二电极层与该导电层之间均可形成一单一突波吸收器,俾可于该单一导电层上形成复数个等效之单一突波吸收器;本案可具有降低生产及使用者成本、缩小元件体积,以及可形成相当于任意数量之等效单一突波吸收器等功效。
申请公布号 TW313713 申请公布日期 1997.08.21
申请号 TW084103875 申请日期 1995.04.19
申请人 中美矽晶制品股份有限公司 发明人 洪绢欲
分类号 H02H7/20 主分类号 H02H7/20
代理机构 代理人 蔡清福 台北巿忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1.一种多合一突波吸收器,其包括:一导电层;一第一电极层,设于该导电层之一面,复数个第二电极层,设于该导电层之另一面;其中:该复数个第二电及极层两两间之最短导电距离大于该导电层厚度之2倍,使该第一电极层、该导电层与每一该第二电极层,以及,每二个该第二电极层与该导电层之间均可形成一单一突波吸收器,俾可于该单一导电层上形成复数个等效之单一突波吸收器。2.如申请专利范围第1项之多合一突波吸收器,其中,该第二电极层两两间之最短导电距离系指两两该第二电极层平面间之距离。3.如申请专利范围第1项之多合一突波吸收器,其中,该每一该第二电极层之一侧具有一垂直深入该导电层之切口,该第二电极层两两间之最短导电距离系指两两该第二电极层之切口距离加上该切口深度之2倍。4.如申请专利范围第1项之多合一突波吸收器,该导电层可以氧化锌陶瓷圆片为之。5.如申请专利范围第1项之多合一突波吸收器,该复数个第二电极之形状为扇形。6.如申请专利范围第1项之多合一突波吸收器,该第二电极层各具一接收端子,当该多合一突波吸收器具有三个接收端子时,其相当于三个等效之单一突波吸收器,其可适用于使用双相三线电源之电子机器之保护。7.如申请专利范围第1项之多合一突波吸收器,该第二电极层各具一接收端子,当该多合一突波吸收器具有四个接收端子时,其相当于六个等效之单一突波吸收器,可适用于使用三相四线电源之电子机器之保护。8.一种多合一突波吸收器之制造方法,包括:分别涂附一第一电极层于一导电层之一面,及涂附一第二电极层于该导电层之另一面;使该第二电极层被分为复数个区域,俾形成复数个第二电极,且两两该第二电极间之距离相等,并使该距离大于该导电层厚度之2倍;于该每一第二电极上接附一接收端子;俾可于该单一导电层上形成复数个等效之单一突波吸收器。9.如申请专利范围第8项之多合一突波吸收器之制造方法,该第二电极层可以银胶网印后烧附之方法形成之。10.如申请专利范围第9项之多合一突波吸收器之制造方法,该导电层可以氧化锌陶瓷圆片为之。11.一种多合一突波吸收器之制造方法,包括:涂布第二电极层于一导电层之一面,该导电层之另一面可具有一第一导电层,且该导电层之厚度为t;于该导电层具有该第二电极层之该面形成垂直该面之二纵向切口,其深入该导电层之距离为d,该二切口之距离为W';其中,(2d+W')>2t;于该每一第二电极上接附一接收端子;俾形成一相当于至少三个等效单一突波吸收器之多合一突波吸收器。12.如申请专利范围第11项之多合一突波吸收器之制造方法,该导电层可以氧化锌陶瓷圆片为之。13.一种突波吸收器之组合结构,包括:四个突波吸收器,每一突波吸收器各具二端子,每一该突波吸收器之一端子被连接一起,而每一该突波吸收器之另一端子则可用以接收外界讯号,该种突波吸收器之组合结构可应用于使用三相四线电源之电子机器之保护。图示简单说明: 第一图:系习知单一突波吸收器之侧面图。第二图:系习知3个单一突波吸收器应用于使用相三相电源之电子机器之保护之电路连接示意图。第三图:系习知6个单一突波吸收器应用于使用三相电源设备保护之电路连接示意图。 第四图:系习知组装3个突波吸收器于一方盒子中之示意图。第五a、b图:系编号第59-5601号日本专利之三端子型突突波吸收器之正面及侧面图。 第六图:系编号第59-5601号日本专利之三端子型突波吸收器与使用双相三线之电子机器并联使用以保护电子机器之等效电路示意图。 第七图:系本案之第一种结构说明侧视图。 第八图:系本案第一种结构之一较佳实施例示意图。 第九图:系本案第一种结构之另一较佳实施例示意图。 第十图:系本案之第二种结构说明示意图。 第十一图:系依本案多合一突波吸收器之原理所提供以四个突波吸收器用于使用三相四线电源之电子电路保护之电路连接示意图。
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