半导体存储设备

摘要

在上块(UB)中，存储单元的编程是反向进行的，由此，当上块(UB)被选出时，得到的是与期望数据相反的反向数据。在读出放大器(SA1)的输出端附加一个反相器电路(IV)，它将反向数据反相，从而最终得到期望数据。所具有的这种结构，它使得通/断可控存储单元的数目减少，从而提供一种削减功率消耗的半导体存储设备。此外，具有这种结构的断开状态存储单元，能尽可能多地消除负载(充电)电容对字线和位线的加载作用，从而提供保证对存储单元高速存取的半导体存储设备。

主权项

1.一种半导体存储设备，它包括：多个列，每列包含一个具有多个存储单元的阵列；以及一个输出部分，它连接到所述的多个列，其特征在于，所述多个存储单元包含至少一个通/断可控存储单元和至少一个断开状态存储单元；以及，通过有选择地安排所述至少一个通/断可控存储单元和所述至少一个断开状态存储单元，用期望数据对所述多个存储单元进行编程，所述半导体存储设备还包括至少一个数据反相装置，它连接到所述多个列中的若干列，用于把从所述输出部分输出的数据进行反相。