| 发明名称 |
COMPOSANTS LATERAUX DANS UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de réglage du gain ou de la sensibilité d'un composant latéral (P10-N1-P11-N12) formé dans la surface supérieure d'une plaquette semi-conductrice (N1) d'un premier type de conductivité, consistant à ne pas doper ou sur doper selon le premier type de conductivité la face arrière quand on veut réduire le gain ou la sensibilité du composant latéral, et à doper selon le deuxième type de conductivité la face arrière quand on veut augmenter le gain ou la sensibilité du composant latéral.</P> |
| 申请公布号 |
FR2744287(A1) |
申请公布日期 |
1997.08.01 |
| 申请号 |
FR19960001179 |
申请日期 |
1996.01.26 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
BERNIER ERIC;SIMONNET JEAN MICHEL |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/735;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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