用于高速电导调制功率器件的隧道结键合单晶衬底

摘要

本发明的特征是采用含有隧道结直接键合(TJB)单晶衬底代替了以往的异性高阻硅厚外延片，并给出了TJB层的设计规则。在本发明提供的TJB单晶衬底上采用常规的电导调制功率器件制作工艺，就可制得各种相对应的高速全耐压范围的电导调制功率器件和高速智能功率集成电路。这不仅使器件速度提高，且使工艺简单、制作容易、成本低廉。

主权项

1、一种用于高速电导调制功率器件的隧道结键合(TJB)单晶衬底，其特征是在N-(1)(或P-)单晶的一抛光面上有由离子注入或杂质扩散形成的高浓度P+(3)/N+(4)/P+(3)(或N+/P+/N+)相间组成的一个层，并在这层的表面直接键合P+(或N+)单晶层(2)，其中N+区(4)(或P+ 区)与周围的P+区(3)(或N+区)及直接键合的P+(或N+)(2)单晶间形成的隧道结与P+单晶(2)(或N+单晶)一起组成复合的隧道阳极。