发明名称 |
SEMICONDUCTING SURFACE-EMITTING LASER MANUFACTURING PROCESS |
摘要 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN LASER SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION PAR LA SURFACE. Pour assurer un bon confinement électrique et une bonne planéité des miroirs délimitant la cavité résonnante du laser, le procédé consiste à réaliser une couche de confinement électrique en effectuant une croissance d'une couche d'un alliage d'aluminium (4) localisée sur la couche active (CA), à l'exception d'une zone d'ouverture (8) audessus de laquelle le miroir sera formé. Après reprises d'épitaxie, on effectue une oxydation latérale de la couche d'alliage (4). Application pour la fabrication de lasers semiconducteurs sur substrats III-V, tels que InP et GaAs.
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申请公布号 |
CA2194004(A1) |
申请公布日期 |
1997.06.28 |
申请号 |
CA19962194004 |
申请日期 |
1996.12.24 |
申请人 |
ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE |
发明人 |
BRILLOUET, FRANCOIS;GOLDSTEIN, LEON;JACQUET, JOEL;PLAIS, ANTONINA;SALET, PAUL |
分类号 |
H01S5/00;H01S5/183;(IPC1-7):H01S3/18 |
主分类号 |
H01S5/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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