| 主权项 |
1.一种具有第一与第二结构模式的半导体记忆体元件,包含有:一用以接收一输入讯号且产生一响应预定之控制讯号的模式控制讯号的模式暂存器;一用以产生一响应一自外部收到的第一连接讯号与该控制讯号的第一模式选择讯号,且选择该第一结构模式的第一模式选择讯号产生器;及一用以产生一响应一自外部收到的第二连接讯号与该控制讯号的第二模式选择讯号,且选择该第二结构模式的第二模式选择讯号产生器。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,其中该模式暂存器包含有:用以传送响应该预定之第一控制讯号的该输入讯号的机构;一用以储存由该传送机构传来之一讯号的栓锁器;用以将该栓锁器的一输出讯号与该预定之第二控制讯号做NAND运算,且输出该模式控制讯号的逻辑机构;及用以拉低该栓锁器的一输入端以响应该预定之第三控制讯号的机构。3.如申请专利范围第2项之半导体记忆体元件,其中该传送机构在该第一控制讯号在一高准位时传送该输入讯号。4.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,其中该第一模式选择讯号产生器包含有:一第一连接填衬;用以传送自该第一连接填衬所收到之该第一连接讯号的机构;用以拉升该传送机构之一输出端的机构;用以将该传送机构之该输出端的一讯号与该模式控制讯号做NOR运算,且输出该第一模式选择讯号的逻辑机构。5.如申请专利范围第1项之半导体记忆体元件,其中该第二模式选择讯号产生器包含有:一第一连接填衬;用以拉升该传送机构之一输出端的机构;用以反相将该传送机构之该输出端的一讯号,将该反相的讯号与该模式控制讯号做OR运算,且输出该第二模式选择讯号的逻辑机构。6.一种具有第一与第二结构模式的半导体记忆体元件,包含有:一用以产生一熔丝控制讯号以响应第一与第二熔丝的状态的熔丝控制讯号产生器;一用以接收一输入讯号与产生一响应该熔丝控制讯号与预定之控制讯号的模式控制讯号的模式暂存器;一用以产生一响应自外部收到的第一连接讯号与该模式控制讯号的第一模式选择讯号,且选择该第一结构模式的第一模式选择讯号产生器;及一用以产生一响应自外部收到的第二连接讯号与该模式控制讯号的第二模式选择讯号,且选择该第二结构模式的第二模式选择讯号产生器。7.如申请专利范围第6项之半导体记忆体元件,其中该熔丝控制讯号产生器包含有:用以产生一响应一预定之讯号与该第一熔丝的该状态的第一熔丝讯号的机构;用以产生一响应该预定之讯号与该第二熔丝的该状态的第二熔丝讯号的机构;用以反相该第二熔丝讯号,将该反相的讯号与该第一熔丝讯号做OR运算,且输出该熔丝控制讯号的逻辑机构。8.如申请专利范围第7项之半导体记忆体元件,其中该第一熔丝讯号产生机构包含有:一其具有被施加该电源电压的源极与被施加该预定之控制讯号的闸极的PMOS电晶体;一具有一端连接于该PMOS电晶体的汲极端的第一熔丝;一其具有连接于该第一熔丝的另一端之汲极,被施加接地电压的源极,及被施加该预定之控制讯号的闸极的NMOS电晶体;用以将自该第一熔丝与该NMOS电晶体的连接点输出的一讯号反相的机构;一其具有接于该第一熔丝的另一端的汲极,被施加该接地电压的源极,及连接到该反相机构的一输出端的闸极的NMOS电晶体;及用以反相该反相机构的该输出且输出该第一熔丝讯号的机构。9.如申请专利范围第7项之半导体记忆体元件,其中该第二熔丝讯号产生机构包含有:一其具有被施加该电源电压的源极与被施加该预定之控制讯号的闸极的PMOS电晶体;一具有一端连接于该PMOS电晶体的汲极端的第二熔丝;一其具有连接于该第二熔丝的另一端之汲极,被施加接地电压的源极,及被施加该预定之控制讯号的闸极的NMOS电晶体;用以将自该第二熔丝与该NMOS电晶体的连接点输出的一讯号反相的机构;一其具有接于该第二熔丝的另一端的汲极,被施加该接地电压的源极,及连接到该反相机构的该输出端的闸极的NMOS电晶体;及用以反相该反相机构的该输出且输出该第二熔丝讯号的机构。10.如申请专利范围第6项之半导体记忆体元件,其中该模式暂存器包含有:用以传送响应该预定之第一控制讯号的该输入讯号的机构;一用以储存自该传送机构传之一讯号的栓锁器;用以将该栓锁器的一输出讯号与该熔丝控制讯号做NAND运算,且输出该模式控制讯号的逻辑机构;及用以拉低该栓锁器的一输入端以响应该预定之第二控制讯号的机构。11.如申请专利范围第10项之半导体记忆体元件,其中该传送机构在该第一控制讯号在一高准位时传送该输入讯号。12.如申请专利范围第6项之半导体记忆体元件,其中该第一模式选择讯号产生器包含有:一第一连接填衬;用以传送自该第一连接填衬所收到之该第一连接讯号的机构;用以拉升该传送机构之一输出端的机构;用以将传送机构之该输出端的一讯号与该模式控制讯号做NOR运算,且输出该第一模式控制讯号的逻辑机构。13.如申请专利范围第6项之半导体记忆体元件,其中该第二模式选择讯号产生器包含有:一第二连接填衬;用以传送自第二连接填衬所收到之该第二连接讯号的机构;用以拉升该传送机构之一输出端的机构;及用以反相传送机构之该输出端的一讯号,将该反相的讯号与该模式控制讯号做OR运算,且输出该第二模式选择讯号的逻辑机构。图示简单说明:第一图是一传统的x16模式选择讯号产生的电路图;第二图是一传统的x4模式选择讯号产生器的电路图;第三图是一根据本发明之一实施例的x16模式选择讯号产生器的电路图;第四图是一根据本发明之一实施例的x4模式选择讯号产生器的电路图;第五图是一根据本发明之一实施例的模式暂存器的电路图;第六图是一根据本发明之一实施例的熔丝控制讯号产生器的电路图;第七图是第三图到第六图所示之每一个电路的讯号的时序图。 |
